ZXMN3A06DN8TC
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ZXMN3A06DN8TC , Diodes Incorporated

Hersteller: Diodes Incorporated
Mfr.Part #: ZXMN3A06DN8TC
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PDF For ZXMN3A06DN8TC

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Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC
Angebotsanfrage In Stock: 467471
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Technische Produktspezifikationen
Product Attribute Attribute Value
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 796pF @ 25V
Power - Max 1.8W
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Configuration 2 N-Channel (Dual)
Drain To Source Voltage (Vdss) 30V
Supplier Device Package 8-SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17.5nC @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fet Feature Logic Level Gate
Vgs(Th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Querverweise
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/category/Semiconductors/Discrete-Semiconductors_415?proid=11923995&N=
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