HY1206D
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HY1206D , HUAYU

Hersteller: HUAYU
Mfr.Part #: HY1206D
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RoHS:
Datenblatt:

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ECAD:
Beschreibung:
MOSFET N Trench 60V 20A(Tc) 3V @ 250uA 75 mΩ @ 10A,10V TO-252-2L RoHS
Angebotsanfrage In Stock: 303362
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Technische Produktspezifikationen
Product Attribute Attribute Value
Continuous Drain Current (Id) @ 25°C 20A(Tc)
Rds On - Drain-Source Resistance 75 mΩ @ 10A,10V
Pd - Power Dissipation 31.3W(Tc)
Transistor Polarity N Trench
Vgs - Gate-Source Voltage 3V @ 250uA
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 60V
Querverweise
5080684
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/category/Semiconductors/Discrete-Semiconductors/Transistors/MOSFET_1148?proid=5080684&N=
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