BUZ31HXKSA1
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BUZ31HXKSA1 , Infineon Technologies

Hersteller: Infineon Technologies
Mfr.Part #: BUZ31HXKSA1
Paket:
RoHS:
Datenblatt:

PDF For BUZ31HXKSA1

ECAD:
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3
Angebotsanfrage In Stock: 674950
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Technische Produktspezifikationen
Product Attribute Attribute Value
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package PG-TO220-3
Drain To Source Voltage (Vdss) 200 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 9A, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1120 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 95W (Tc)
Fet Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Fet Feature -
Vgs(Th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V
Querverweise
11951124
415
/category/Semiconductors/Discrete-Semiconductors_415?proid=11951124&N=
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