FP75R12KT4_B15
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FP75R12KT4_B15 , Infineon Technologies

Hersteller: Infineon Technologies
Mfr.Part #: FP75R12KT4_B15
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RoHS:
Datenblatt:

PDF For FP75R12KT4_B15

ECAD:
Beschreibung:
IGBT Modules IGBT 1200V 75A
Angebotsanfrage In Stock: 7
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Technische Produktspezifikationen
Product Attribute Attribute Value
Manufacturer Infineon
Product Category IGBT Modules
Product IGBT Silicon Modules
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Mounting Style Chassis Mount
Pd - Power Dissipation 385 W
Product Type IGBT Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.15 V
Minimum Operating Temperature - 40 C
Maximum Operating Temperature + 150 C
Packaging Tray
Part # Aliases FP75R12KT4B15BOSA1 SP000408728
Brand Infineon Technologies
Continuous Collector Current At 25 C 75 A
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Technology Si
Factory Pack Quantity 10
Subcategory IGBTs
Querverweise
783647
1160
/category/Semiconductors/Discrete-Semiconductors/Transistors/IGBT-Modules_1160?proid=783647&N=
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