PB04N03LA
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PB04N03LA , Infineon Technologies

Hersteller: Infineon Technologies
Mfr.Part #: IPB04N03LA
Paket:
RoHS:
Datenblatt:

PDF For IPB04N03LA

ECAD:
Beschreibung:
MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
Angebotsanfrage In Stock: 471294
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Technische Produktspezifikationen
Product Attribute Attribute Value
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32 nC @ 5 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.9mOhm @ 55A, 10V
Vgs(Th) (Max) @ Id 2V @ 60µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3877 pF @ 15 V
Supplier Device Package PG-TO263-3-2
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss) 25 V
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fet Type N-Channel
Vgs (Max) ±20V
Fet Feature -
Power Dissipation (Max) 107W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Querverweise
11944761
415
/category/Semiconductors/Discrete-Semiconductors_415?proid=11944761&N=
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