Q1821_R1_00001
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PJQ1821_R1_00001 , PANJIT

Hersteller: PANJIT
Mfr.Part #: PJQ1821_R1_00001
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PDF For PJQ1821_R1_00001

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Beschreibung:
20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Angebotsanfrage In Stock: 879281
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Technische Produktspezifikationen
Product Attribute Attribute Value
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 300mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 51pF @ 10V
Power - Max 400mW (Ta)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Configuration 2 P-Channel (Dual)
Drain To Source Voltage (Vdss) 20V
Supplier Device Package DFN1010-6L
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.1nC @ 4.5V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case 6-UFDFN
Fet Feature -
Vgs(Th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Querverweise
11922951
415
/category/Semiconductors/Discrete-Semiconductors_415?proid=11922951&N=
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