I5947DU-T1-GE3
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SI5947DU-T1-GE3 , Vishay / Siliconix

Hersteller: Vishay / Siliconix
Mfr.Part #: SI5947DU-T1-GE3
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RoHS:
Datenblatt:

PDF For SI5947DU-T1-GE3

Beschreibung:
MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
Angebotsanfrage In Stock: 67434
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Technische Produktspezifikationen
Product Attribute Attribute Value
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 58mOhm @ 3.6A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 480pF @ 10V
Power - Max 10.4W
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Configuration 2 P-Channel (Dual)
Drain To Source Voltage (Vdss) 20V
Supplier Device Package PowerPAK® ChipFet Dual
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case PowerPAK® ChipFET™ Dual
Fet Feature Logic Level Gate
Vgs(Th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Querverweise
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